Produktbeskrivning

KIOXIA CD8P-R-seriens solid state-enhet är konstruerad för hållbarhet och höghastighetsprestanda, vilket gör den till ett utmärkt val för datacentermiljöer. Den fungerar tillförlitligt dygnet runt tack vare sin kontinuerliga driftskapacitet och en hög medeltid mellan fel (MTBF) på 2 500 000 timmar. Den här hårddisken utmärker sig inte bara i prestanda med sina imponerande interna datahastigheter på upp till 12 000 MB/s för läsning och 5 300 MB/s för skrivning, utan även i effektivitet med sin låga strömförbrukning på 23 W i aktivt läge och 5 W i viloläge.

Med avancerad teknik för dataskydd, inklusive end-to-end dataskydd, Power Loss Protection (PLP) och Sanitize Instant Erase (SIE), garanterar den säkerheten och integriteten för dina data. Dessutom gör den höga IOPS för slumpmässig läsning på 4 KB att den passar perfekt för läsintensiva applikationer och ger snabb och tillförlitlig tillgång till data. Med PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnittet garanterar denna solid state-enhet snabba dataöverföringshastigheter, vilket förbättrar systemets övergripande prestanda.

 

Egenskaper

Förbättrad hållbarhet
Denna solid state-enhet är byggd för att klara kontinuerlig drift och har en robust MTBF på 2 500 000 timmar, vilket ger exceptionell tillförlitlighet för datacentermiljöer.

Prestanda med hög hastighet
Med en intern datahastighet på upp till 12 000 MB/s för läsning och 5 300 MB/s för skrivning, i kombination med PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnitt, garanterar den snabb dataåtkomst och överföringshastigheter.

Avancerat dataskydd
Innehåller omfattande end-to-end dataskydd, Power Loss Protection (PLP) och Sanitize Instant Erase (SIE), vilket skyddar dataintegriteten under olika förhållanden.

Optimerad för läsintensiva applikationer
Den här hårddisken är särskilt utformad för läsintensiva uppgifter och stöder en hög 4KB slumpmässig läsning på 2 000 000 IOPS, vilket gör den idealisk för applikationer som kräver frekvent dataåtkomst.

Miljövänlig drift
Effektiv strömförbrukning med 23 W i aktivt läge och 5 W i viloläge, vilket minimerar driftskostnaderna och bidrar till ett grönare datacenter.

 

Teknisk specifikation

Typ av enhet	SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet	15360 GB
NAND-flashminnestyp	Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor	E3.S
Gränssnitt	PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaper	End-to-end-dataskydd, 24x7 kontinuerlig drift, Strömförlustskydd (PLP), Sanitize Instant Erase (SIE), en port, BiCS5 flash, Open Compute Project 2.0, NVMe 2.0
Bredd	76 mm
Djup	112.75 mm
Höjd	7.5 mm
Vikt	110 g

Antal skrivningar per dag (DWPD)	1
Drivenhetsklass	Datacenter, läsningsintensiv
Intern datafrekvens	12000 MBps (läs)/ 5300 MBps (skriv)
4 KB Random Read	2000000 IOPS
4 KB Random Write	200000 IOPS

MTBF (genomsnittstid mellan fel)	2,500,000 timmar
Dygnet-runt drift	Ja

Gränssnitt	1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack	E3.S

Strömkonsumtion	23 Watt (aktiv) 5 Watt (inaktiv)

Service och support	Begränsad garanti - 5 år

Min temperatur vid drift	0 °C
Max temperatur vid drift	73 °C
Min temperatur vid förvaring	-40 °C
Max temperatur vid förvaring	85 °C
Luftfuktighet vid drift	5 - 95% RH
Stöttolerans (vid drift)	1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstolerans (vid drift)	2.17 gRMS @ 5-800 Hz