Produktbeskrivning

KIOXIA CD8P-R-seriens solid state-enhet är konstruerad för de krävande kraven i datacenter och erbjuder en blandning av hög kapacitet, prestanda och hållbarhet. Med en lagringskapacitet på upp till 7680 GB och stöd för kontinuerlig drift 24x7 är den utformad för att hantera de intensiva arbetsbelastningarna i moderna datamiljöer. Hårddisken har PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnitt och levererar imponerande datahastigheter på upp till 12000 MB/s vid läsning och 5500 MB/s vid skrivning, vilket gör den lämplig för läsintensiva applikationer.

KIOXIA CD8P-R-serien har BiCS5 flash-teknik och TLC (triple-level cell) NAND-flashminne och erbjuder tillförlitlighet och höghastighetsdataåtkomst. Den innehåller också viktiga dataskyddsfunktioner som Power Loss Protection (PLP) och End-to-end-dataskydd. Dessutom gör den effektiva strömförbrukningen och förmågan att fungera under många olika miljöförhållanden den till ett perfekt val för datacenter som vill optimera sin verksamhet och sänka sina kostnader.

 

Egenskaper

Robust hållbarhet
KIOXIA CD8P-R-serien är konstruerad för kontinuerlig drift 24x7 i krävande datacentermiljöer och garanterar tillförlitlighet med en MTBF på 2 500 000 timmar. Den robusta designen inkluderar funktioner som Power Loss Protection (PLP) och End-to-end-dataskydd, vilket skyddar dataintegriteten under olika förhållanden.

Höghastighetsprestanda
KIOXIA CD8P-R-serien är utrustad med PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-gränssnitt och levererar exceptionella interna datahastigheter på upp till 12000 MB/s vid läsning och 5500 MB/s vid skrivning. Den här prestandan är idealisk för läsintensiva applikationer och ger snabb åtkomst till stora datamängder.

Avancerad teknik
Med BiCS5-flash och TLC (triple-level cell) NAND-flashminne kombinerar denna solid state-disk lagringsalternativ med hög kapacitet på upp till 7680 GB. Den är utformad för att möta behoven i moderna datacenter och stödja omfattande datatillväxt.

Effektiv drift
Med sin innovativa design har KIOXIA CD8P-R-serien låg strömförbrukning med endast 21 watt i aktivt läge och 5 watt i viloläge. Denna effektivitet bidrar till minskade driftskostnader och en lägre total ägandekostnad.

Miljömässig motståndskraft
Denna solid state-enhet kan arbeta i ett brett temperaturintervall från 0°C till 76°C och luftfuktighetsnivåer från 5 till 95% RH och är byggd för att klara tuffa datacentermiljöer, vilket garanterar konsekvent prestanda.

 

Teknisk specifikation

Typ av enhet	SSD-enhet - inbyggd
Kapacitet	7680 GB
NAND-flashminnestyp	Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor	E3.S
Gränssnitt	PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaper	End-to-end-dataskydd, 24x7 kontinuerlig drift, Strömförlustskydd (PLP), Sanitize Instant Erase (SIE), en port, BiCS5 flash, Open Compute Project 2.0, NVMe 2.0
Bredd	76 mm
Djup	112.75 mm
Höjd	7.5 mm
Vikt	110 g

Antal skrivningar per dag (DWPD)	1
Drivenhetsklass	Datacenter, läsningsintensiv
Intern datafrekvens	12000 MBps (läs)/ 5500 MBps (skriv)
4 KB Random Read	2000000 IOPS
4 KB Random Write	200000 IOPS

MTBF (genomsnittstid mellan fel)	2,500,000 timmar
Dygnet-runt drift	Ja

Gränssnitt	1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fack	E3.S

Strömkonsumtion	21 Watt (aktiv) 5 Watt (inaktiv)

Service och support	Begränsad garanti - 5 år

Min temperatur vid drift	0 °C
Max temperatur vid drift	76 °C
Min temperatur vid förvaring	-40 °C
Max temperatur vid förvaring	85 °C
Luftfuktighet vid drift	5 - 95% RH
Stöttolerans (vid drift)	1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstolerans (vid drift)	2.17 gRMS @ 5-800 Hz